显存芯片,Samsung开头量产第壹代

作者: 产品评测  发布:2019-05-25

日前三星正式宣布,其基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片已经开始了大规模量产。跟上代产品相比,它的速度快了 10%,同时功耗也降低了 15%。除此之外,新品的生产率也上升了 30%,有望降低一些 RAM 的售价。值得一提的是,在这次的开发过程中三星使用了效率更高的查错方案,并且还特意在位线间加入「独特的空气间隔」来减少寄生电容。另外,三星在公告中还表示「自己将加快引入下一代的 DRAM 芯片和系统,包括 DDR5、HBM3、LPDDR5 和 GDDR6,用于企业服务器、移动设备、超级电脑、HPC 系统和高速显卡」。与此同时,更主流的第一代 10nm 级制程芯片生产量也会增加。

如之前预告的那样,在三星开始量产基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久,16Gb 的 GDDR6 内存芯片现在也已经拍马赶到了。早些时候官方公布了开始大规模量产这款零件的消息,据介绍该款同样基于 10nm 制程打造的产品「将会在先期上市的下一代显卡、显示系统中扮演至关重要的角色」。具体来说,它的数据传输速度能达到 72 GB/s,几乎两倍于 8Gb GDDR5 RAM 芯片的表现。与此同时功耗则下降了约 35%,而且制造生产率上涨了 30%,在同样时间内生产线将有望产出更多的芯片。这最后一点在如今显卡被比特币狂潮越推越贵的大环境下,应该是广大消费者最乐于见到的变化了吧?

产品评测,智慧手机与平板的窜起,使针对这些行动装置的LPDDR2 RAM(Mobile DDR2)市场大为被看好,LPDDR主要供货商之一的三星也在最近宣布,将投入30nm制程的技术,生产新一代的4Gb LPDDR2。除了传输速度从40nm制程的2GbLPDDR2的800Mbps提升到1066Mbps以外,由于单一颗粒容量翻倍,同为容量1GB的RAM封装,厚度可以缩小20%,功耗还能减少25%,除了1GB封装陆续出货以外,2GB的封装也准备在四月份正式出货。

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